【群众网科技玄虚报谈】9月15日音信淫民导航，近日，三星电子布告已运行量产其最新的NAND芯片——1Tb（太比特）四层单位（QLC）第九代垂直NAND（V-NAND）。

继本年4月初度量产9th-Gen TLC V-NAND之后，三星再次引颈行业，推出更高存储密度的QLC科罚有揣摸打算。这项新技艺允许每个存储单位存储4位数据淫民导航，从而在物理芯片上已毕更高的存储密度。

三星电子的QLC 9th-Gen V-NAND接受了多项翻新技艺，包括行业起程点的通谈孔蚀刻技艺，该技艺通过双堆栈结构已毕了业界最高的层数。此外，通过优化存储单位面积和外围电路，与上一代QLC V-NAND比拟，位密度提高了约86%。这些技艺跳跃不仅提高了写入速率，还分散将读取和写入功耗缩小了30%和50%。

三星电子履行副总裁兼闪存产物与技艺老成东谈主SungHoi Hur暗示：“跟着企业级SSD阛阓的快速增长，以及对AI愚弄需求的不休增多，咱们通过QLC和TLC 9th-Gen V-NAND的推出，将持续安然咱们在高性能固态硬盘阛阓的教养地位。”

三星计算将QLC 9th-Gen V-NAND的愚弄限制从耗尽级产物扩张到转移通用闪存（UFS）、个东谈主电脑和行状器SSD淫民导航，以满足包括云行状提供商在内的等闲客户需求。